Mg掺杂硅团簇MgSin(n=1~10)的结构和电子性质研究
Theoretical study on the geometric structures and electronic properties of Mg doped silicon clusters
作者：阮文(井冈山大学数理学院)；刘绥红(井冈山大学数理学院)；宋红莲(井冈山大学数理学院)；金仕显(井冈山大学数理学院)
Author：RUAN Wen(School of Mathematics and Physics, Jinggangshan University)；LIU Sui-Hong(School of Mathematics and Physics, Jinggangshan University)；SONG Hong-Lian(School of Mathematics and Physics, Jinggangshan University)；JIN Shi-Xian(School of Mathematics and Physics, Jinggangshan University)
收稿日期：2016-10-31 年卷（期）页码：2018,55(3):527-532
期刊名称：四川大学学报: 自然科学版
Journal Name：Journal of Sichuan University (Natural Science Edition)
关键字：密度泛函理论; Mg掺杂硅团簇; 几何结构; 电子性质
Key words：Density functional theory; Mg doped silicon clusters; Geometric structures; Electronic properties
基金项目：国家自然科学基金(11364023); 江西省教育厅科技研究项目(GJJ160737); 井冈山大学博士科研启动基金(JZB11003); 江西省大学生创新创业训练项目(赣财教指［2014］57号); 江西省自然科学基金项目（20171BAB201020）
中文摘要
运用杂化密度泛函B3LYP理论方法, 在6-311+G(d, p)基组水平上对MgSin(n=1~10)多种低能异构体进行优化, 获得了各个尺寸下团簇的最低能量结构, 并研究MgSin(n=1~10)的结构特点和电子性质, 结果表明单个镁原子掺杂硅可得到稳定的二元掺杂团簇.
英文摘要
The geometric structures and electronic properties of MgSin (n = 1-10) are studying by using the B3LYP method of the density functional theory (DFT) at the 6-311G (d) set basis level. And several lower energy geometric structures of the MgSin (n = 1-10) are obtained. The results show that the lowest energy structures of the magnesium doped silicon clusters can exist stably.
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